在真空条件下
，利用气体放电使气体离化
，在气体离子轰击作用的同时
，把蒸发物或其反应物蒸发在基片上
。离子辅助沉积实际上是在电子束蒸发的基础上
，引入离子轰击
，达到增加蒸发膜料动能的效果
，相比电子束和热蒸发
，膜层具有更高的密度
。此外
，气体离子束可以用于清洁和刻蚀基底表面
，从而增强膜层的牢固度
。
通过引入离子辅助
，膜层具有更高的牢固度
，并带来更好的膜层机械性能
，更好的环境可靠性以及更低的膜层散射
。
但离子辅助沉积并不适用于所有的材料
，例如MgF2等在沉积过程可能会被分解
。
相比EB工艺
，综合考虑了成本
，光谱稳定性和可靠性等因素
。
相比IBS工艺
，具有更高的散射和吸收损耗
。
