靶面发出的二次电子
，在相互垂直的电场力和磁场力的联合作用下
，沿着跑道跨越磁力线做旋轮线形的跳动
，并以这种形式沿着跑道转圈
，增加与气体原子碰撞的机会
。克服了二极
、三极溅射的缺点
。
能量较低的二次电子循环运动
，每个电子使原子电离的机会增加
，只有在电子的能量耗尽以后才能脱离靶表面
，且落在阳极
。基片温升小
，损伤小的原因
。
高密度的等离子体被电磁场束缚在靶面附近
，不与基片接触
。
提高电离效率
，工作压力可降低到10-1～10-2Pa数量级
；从而减少工作气体对被溅射原子的散射作用
，提高沉积速率
，增加膜层牢固度
。
进行磁控溅射时
，电子与气体原子的碰撞几率高
，因此气体离化率大大增加
。
低温溅射
：对被溅射的靶材料进行直接冷却
；利用磁场在减少电子能量的同时
，再辅以电子捕集器以排除电子对基板的轰击
。
高速溅射
：尽量加大投入到靶上的功率
；提高溅射沉积的功率效率
；减少溅射原子或分子向靶的逆扩散
。
